El flash NAND de próxima generación promete mayores capacidades y rendimiento, y ahora está disponible en un paquete totalmente industrial. Esta serie de unidades de estado sólido (SSD, por sus siglas en inglés) está diseñada para afrontar las duras condiciones típicas de los entornos embedded y para enfrentarse a los desafíos del edge computing.
Los discos utilizan una NAND 3D TLC de grado industrial de Toshiba con 3000 ciclos P/E que garantiza una resistencia duradera, tal y como lo requieren muchas aplicaciones embedded. El firmware también está optimizado para uso industrial y evita el almacenamiento en caché para evitar la amplificación de escritura y caídas en el rendimiento que reducen los ciclos de P/E a través de transferencias de datos excesivas dentro del SSD.

La serie incluye dos modelos: 3TE7, sin DRAM y 3TG6-P, que utiliza un chip DRAM externo y un controlador Marvell. Estos discos pueden incorporar cifrado AES para seguridad de los datos y protección de ruta de datos de extremo a extremo, garantizando la corrección de errores en cada punto de transferencia de datos. Los módulos también pueden equiparse con el trío de tecnologías de estabilización de energía de Innodisk iCell ™, iPower Guard ™ e iData Guard ™ para fortalecer aún más la integridad de los datos en áreas susceptibles a las fluctuaciones de energía.

3D NAND, ¿cuál es la diferencia?

En comparación con la NAND 2D tradicional, la NAND 3D también apila celdas verticalmente en capas.

De esta manera, la ley de Moore se puede ampliar y las capacidades siguen aumentando sin que se reduzcan los tamaños de las celdas.

Las principales arquitecturas de celdas son MLC y TLC, que corresponden aproximadamente a NAND 2D SLC y MLC respectivamente en cuanto a resistencia.